1、潔凈室中的溫濕度的控制
潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在符合工藝要求的條件下，應考慮到人的感受。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。
具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。
直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以要有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，怕鈉的半導體車間，這種車間不宜高于25度。
濕度過高的話，所產生的問題也會有很多。相對濕度大于55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在電路中，就會引起事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面很難清理。
相對濕度越高，粘附就很難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產溫度范圍為35—45%。
2、潔凈室中的氣壓規定
對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：
（1）潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。
（2）潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。
（3）相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。
壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄風量通過潔凈室的縫隙時的阻力。
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